Arbeitskreis Massive Halbleiter

Herstellung und Charakterisierung von massiven Halbleitern

IKZ,T. Turschner

Große Halbleiterkristalle mit hoher Reinheit und Qualität sind die Basis für elektronische und optoelektronische Bauelemente. Die Erhöhung der Kristallausbeute und der Kristallqualität erfordern zum einen immer detailliertere Kenntnisse über die Wachstumsbedingungen und über die Entstehung von Kristalldefekten, zum anderen einer immer ausgeklügeltere Kristallzüchtungsanlagentechnik und Metrologie.

Folgerichtig beschäftigt sich dieser Arbeitskreis sowohl mit grundlegenden Aspekten der Kristallzüchtung als auch mit entsprechenden technologischen Fragen. Neben den Elementhalbleitern Silizium und Germanium und den klassischen III-V-Verbindungshalbleitern wie GaAs und InP befasst sich der Arbeitskreis mit Halbleitern großer Bandlücke wie SiC, GaN, AlN oder Ga₂O₃ sowie mit II-VI Halbleitern für Detektoranwendungen.

Arbeitskreissprecher

Prof. Dr. Ing. Peter Wellmann
E-mail: peter.wellmann@fau.de
FAU,Department Werkstoffwissenschaften 6
Martensstr. 7, 91058 Erlangen
Telefon: 09131-85-27635

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